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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFU1205PBF-ND
Cantidad disponible 1,169
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFU1205PBF

Descripción MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFR/U1205PbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Recursos de diseño IRFU1205 Saber Model
IRFU1205 Spice Model
Diseño/especificación de PCN Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Ensamble/origen de PCN IPak Product Assembly Site Add 19/Apr/2016
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 55 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 44 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 27 mOhm a 26 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 65 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1300 pF a 25 V
Potencia máxima 107 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
Paquete del dispositivo del proveedor IPAK (TO-251)
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres *IRFU1205PBF
SP001578428

04:52:15 12/8/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.02000 1.02
10 0.91500 9.15
100 0.71300 71.30
500 0.58900 294.50
1,000 0.46500 465.00

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