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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFSL4010PBF-ND
Cantidad disponible 4,536
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFSL4010PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 180 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.7 mOhm a 106 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 215 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 9575 pF a 50 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001567760

08:03:11 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.51000 4.51
10 4.04600 40.46
100 3.31500 331.50
500 2.82200 1,411.00
1,000 2.38000 2,380.00

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