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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFSL3806PBF-ND
Cantidad disponible 21,068
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFSL3806PBF

Descripción MOSFET N-CH 60V 43A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF(B,S,SL)3806PBF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Recursos de diseño IRFB3806PBF Saber Model
IRFB3806PBF Spice Model
Diseño/especificación de PCN Copper Plating Update 31/Aug/2015
Ensamble/origen de PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 43 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 15.8 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 30 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1150 pF a 50 V
Potencia máxima 71 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001571672

21:43:57 12/2/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.21000 1.21
10 1.08600 10.86
100 0.84640 84.64
500 0.69920 349.60
1,000 0.55200 552.00

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