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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFSL3607PBF-ND
Cantidad disponible 2,532
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFSL3607PBF

Descripción MOSFET N-CH 75V 80A TO-262
Descripción ampliada N-Channel 75V 80A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF(B,S,SL)3607PBF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Diseño/especificación de PCN Copper Plating Update 31/Aug/2015
Ensamble/origen de PCN TO-262 FET 04/Jul/2013
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categories
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 75 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 84 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3070 pF a 50 V
Vgs (Max) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 140 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9 mOhm a 46 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001565218

02:58:58 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.54000 1.54
10 1.38100 13.81
100 1.10970 110.97
500 0.91176 455.88
1,000 0.75545 755.45

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