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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFSL3607PBF-ND
Cantidad disponible 2,832
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFSL3607PBF

Descripción MOSFET N-CH 75V 80A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 5 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 75 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9 mOhm a 46 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 84 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3070 pF a 50 V
Potencia máxima 140 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001565218

03:29:29 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.54000 1.54
10 1.38100 13.81
100 1.10970 110.97
500 0.91176 455.88
1,000 0.75545 755.45

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