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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFSL3006PBF-ND
Cantidad disponible 99
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFSL3006PBF

Descripción MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Descripción ampliada N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFS(L)3006PBF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Diseño/especificación de PCN Copper Plating Update 31/Aug/2015
Ensamble/origen de PCN TO-262 FET 04/Jul/2013
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 195 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 300 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8970 pF a 50 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.5 mOhm a 170 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001573396

04:46:51 1/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.52000 4.52
10 4.05800 40.58
100 3.32480 332.48
500 2.83030 1,415.15
1,000 2.38700 2,387.00

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