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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFPS3810PBF-ND
Cantidad disponible 4,121
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFPS3810PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFPS3810PbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Recursos de diseño IRFPS3810 Saber Model
IRFPS3810 Spice Model
Diseño/especificación de PCN Pkg Outline Chg 04/Jan/2016
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 170 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 390 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 6790 pF a 25 V
Potencia máxima 580 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-274AA
Paquete del dispositivo del proveedor SUPER-247 (TO-274AA)
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres *IRFPS3810PBF
SP001566934

13:13:08 12/8/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 8.65000 8.65
10 7.81300 78.13
100 6.46850 646.85
500 5.63270 2,816.35
1,000 4.90590 4,905.90

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