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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFP4710PBF-ND
Cantidad disponible 800
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFP4710PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 72A TO-247AC
Descripción ampliada N-Channel 100V 72A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFP4710PbF
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 72 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 170 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6160 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 190 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 14 mOhm a 45 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres *IRFP4710PBF
SP001575990

04:28:11 3/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.22000 3.22
10 2.89400 28.94
100 2.37100 237.10
500 2.01840 1,009.20
1,000 1.70226 1,702.26

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