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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFP4668PBF-ND
Cantidad disponible 5,306
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFP4668PBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFP4668PBF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Recursos de diseño IRFP4668PBF Saber Model
IRFP4668PBF Spice Model
Ensamble/origen de PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 130 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.7 mOhm a 81 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 241 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 10720 pF a 50 V
Potencia máxima 520 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
 
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  • Precio unitario 2.53000
  • WA-T247-101E-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres AUXSNFP4668
AUXSNFP4668-ND
SP001572854

02:02:23 12/3/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.87000 6.87
10 6.20900 62.09
100 5.14060 514.06
500 4.47640 2,238.20
1,000 3.89880 3,898.80

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