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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFP3206PBF-ND
Cantidad disponible 9,752
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFP3206PBF

Descripción MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFP3206PBF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ensamble/origen de PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Qualification Wafer Source 01/Apr/2014
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 mOhm a 75 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 150 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 170 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 6540 pF a 50 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres SP001578056

23:09:51 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.73000 2.73
10 2.45600 24.56
100 2.01240 201.24
500 1.71312 856.56
1,000 1.44480 1,444.80

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