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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFP2907PBF-ND
Cantidad disponible 264
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFP2907PBF

Descripción MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Descripción ampliada N-Channel 75V 209A (Tc) 470W (Tc) Through Hole TO-247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 75 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 209 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 620 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 13000 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 470 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.5 mOhm a 125 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres *IRFP2907PBF
SP001571058

21:44:00 1/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.37000 5.37
10 4.82400 48.24
100 3.95270 395.27
500 3.36482 1,682.41
1,000 2.83780 2,837.80

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