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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFP064NPBF-ND
Cantidad disponible 830
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFP064NPBF

Descripción MOSFET N-CH 55V 110A TO-247AC
Descripción ampliada N-Channel 55V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 55 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 110 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 170 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4000 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8 mOhm a 59 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres *IRFP064NPBF
SP001554926

02:40:34 3/29/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.56000 2.56
10 2.29800 22.98
100 1.84730 184.73
500 1.51778 758.89
1,000 1.25759 1,257.59

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