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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFBA90N20DPBF-ND
Cantidad disponible 978
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFBA90N20DPBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Descripción ampliada N-Channel 200V 98A (Tc) 650W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 25 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFBA90N20DPbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Recursos de diseño IRFBA90N20DPBF Saber Model
IRFBA90N20DPBF Spice Model
Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 98 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 240 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6080 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 650 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 23 mOhm a 59 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor SUPER-220™
Paquete / Caja (carcasa) Super-220™-3 (Conductores rectos)
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFBA90N20DPBF
SP001551776

23:33:40 2/21/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.86000 7.86
10 7.09700 70.97
100 5.87580 587.58
500 5.11656 2,558.28
1,000 4.45635 4,456.35

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