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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFBA90N20DPBF-ND
Cantidad disponible 428
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFBA90N20DPBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFBA90N20DPbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Recursos de diseño IRFBA90N20DPBF Saber Model
IRFBA90N20DPBF Spice Model
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 98 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 23 mOhm a 59 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 240 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 6080 pF a 25 V
Potencia máxima 650 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) Super-220™-3 (Conductores rectos)
Paquete del dispositivo del proveedor SUPER-220™
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFBA90N20DPBF
SP001551776

15:22:35 12/2/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.86000 7.86
10 7.09700 70.97
100 5.87580 587.58
500 5.11656 2,558.28
1,000 4.45635 4,456.35

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