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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB7430PBF-ND
Cantidad disponible 97
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB7430PBF

Descripción MOSFET N CH 40V 195A TO220
Descripción ampliada N-Channel 40V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®, StrongIRFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 40 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 195 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 460 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 14240pF a 25V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.3 mOhm a 100 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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  • Precio unitario 1.86000
  • IXTP32P05T-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001551786

15:45:18 1/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.86000 3.86
10 3.47000 34.70
100 2.84310 284.31
500 2.42028 1,210.14
1,000 2.04120 2,041.20

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