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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB4332PBF-ND
Cantidad disponible 195
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB4332PBF

Descripción MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFB4332PbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Recursos de diseño IRFB4332PBF Saber Model
IRFB4332PBF Spice Model
Ensamble/origen de PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 250 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 33 mOhm a 35 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 150 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 5860 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001556040

22:02:45 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.35000 3.35
10 3.01100 30.11
100 2.46680 246.68
500 2.09990 1,049.95
1,000 1.77100 1,771.00

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