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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB4229PBF-ND
Cantidad disponible 190
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB4229PBF

Descripción MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 250V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 250 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 46 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4560 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 330 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 46 mOhm a 26 A, 10 V
Temperatura de operación -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001565910

01:07:56 2/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.50000 3.50
10 3.14200 31.42
100 2.57400 257.40
500 2.19120 1,095.60
1,000 1.84800 1,848.00

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