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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB4227PBF-ND
Cantidad disponible 2,639
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB4227PBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 200V 65A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFB4227PbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Recursos de diseño IRFB4227PBF Saber Model
IRFB4227PBF Spice Model
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 65 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 98 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4600 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 330 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 24 mOhm a 46 A, 10 V
Temperatura de operación -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001565892

03:20:24 2/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.11000 3.11
10 2.79400 27.94
100 2.28930 228.93
500 1.94884 974.42
1,000 1.64360 1,643.60

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