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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB4227PBF-ND
Cantidad disponible 2,815
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB4227PBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 65 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 24 mOhm a 46 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 98 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 4600 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001565892

17:12:40 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.11000 3.11
10 2.79400 27.94
100 2.28930 228.93
500 1.94884 974.42
1,000 1.64360 1,643.60

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