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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB4127PBF-ND
Cantidad disponible 107
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB4127PBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFB4127PBF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ensamble/origen de PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 76 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20 mOhm a 44 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 150 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 5380 pF a 50 V
Potencia máxima 375 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001560212

19:15:39 12/8/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.70000 3.70
10 3.32700 33.27
100 2.72610 272.61
500 2.32068 1,160.34
1,000 1.95720 1,957.20

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