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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB4115GPBF-ND
Cantidad disponible 1,597
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB4115GPBF

Descripción MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos IRFB4115GPbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ensamble/origen de PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Additional Assembly Site 13/Jun/2014
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 150 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 104 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11 mOhm a 62 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 120 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 5270 pF a 50 V
Potencia máxima 380 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
Reemplazo directo ?
Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Empaquetado Cantidad disponible Precio unitario Cantidad mínima
IRFB4115PBF-ND IRFB4115PBF Infineon Technologies Tubo ? 7,396 - Inmediata
3.44000 1
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001572390

05:29:17 12/5/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.79000 3.79
10 3.40300 34.03
100 2.78850 278.85
500 2.37380 1,186.90
1,000 2.00200 2,002.00

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