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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB4110GPBF-ND
Cantidad disponible 31
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB4110GPBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Descripción ampliada N-Channel 100V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 210 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9620 pF a 50 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 370 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.5 mOhm a 75 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Reemplazo directo ?
Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Empaquetado Cantidad disponible Precio unitario Cantidad mínima
IRFB4110PBF-ND IRFB4110PBF Infineon Technologies Tubo ? 3,382 - Inmediata
3.84000 1
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001556050

04:43:02 3/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.45000 4.45
10 3.99800 39.98
100 3.27600 327.60
500 2.78880 1,394.40
1,000 2.35200 2,352.00

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