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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB38N20DPBF-ND
Cantidad disponible 317
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB38N20DPBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 43 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 54 mOhm a 26 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 91 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2900 pF a 25 V
Potencia máxima 3.8 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFB38N20DPBF
SP001556010

17:29:12 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.12000 3.12
10 2.79900 27.99
100 2.29320 229.32
500 1.95216 976.08
1,000 1.64640 1,646.40

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