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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB33N15DPBF-ND
Cantidad disponible 1,724
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB33N15DPBF

Descripción MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 150V 33A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFB,IRFS(L)_33N15DPbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 150 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 33 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 90 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2020 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.8 W (Ta), 170 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 56 mOhm a 20 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFB33N15DPBF
SP001566470

21:29:56 1/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.27000 2.27
10 2.04100 20.41
100 1.64010 164.01
500 1.34750 673.75
1,000 1.11650 1,116.50

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