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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB3307PBF-ND
Cantidad disponible 4,179
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB3307PBF

Descripción MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 75V 130A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFB3307, IRFS(L)3307
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 75 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 130 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 150 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 180 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5150 pF a 50 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.3 mOhm a 75 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFB3307PBF
SP001555972

01:22:06 1/19/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.02000 4.02
10 3.61300 36.13
100 2.96010 296.01
500 2.51988 1,259.94
1,000 2.12520 2,125.20

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