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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB3307PBF-ND
Cantidad disponible 4,144
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB3307PBF

Descripción MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 75V 130A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFB3307, IRFS(L)3307
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 75 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 130 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 150 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 180 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5150 pF a 50 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.3 mOhm a 75 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFB3307PBF
SP001555972

19:21:12 3/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.22000 4.22
10 3.79300 37.93
100 3.10810 310.81
500 2.64588 1,322.94
1,000 2.23146 2,231.46

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