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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB3207ZGPBF-ND
Cantidad disponible 676
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB3207ZGPBF

Descripción MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 75 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.1 mOhm a 75 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 150 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 170 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 6920 pF a 50 V
Potencia máxima 300 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
Reemplazo directo ?
Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Empaquetado Cantidad disponible Precio unitario Cantidad mínima
IRFB3077PBF-ND IRFB3077PBF Infineon Technologies Tubo ? 4,348 - Inmediata
3.39000 1
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001554560

16:11:46 12/6/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.18000 3.18
10 2.85600 28.56
100 2.34000 234.00
500 1.99200 996.00
1,000 1.68000 1,680.00

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