Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB3206PBF-ND
Cantidad disponible 630
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB3206PBF

Descripción MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 60V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 25 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 150 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 170 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6540 pF a 50 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 mOhm a 75 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 64-0088PBF
64-0088PBF-ND
SP001566480

16:02:37 3/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.89000 2.89
10 2.59900 25.99
100 2.12940 212.94
500 1.81272 906.36
1,000 1.52880 1,528.80

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario