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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB3206GPBF-ND
Cantidad disponible 457
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB3206GPBF

Descripción MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 mOhm a 75 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 150 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 170 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 6540 pF a 50 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
Reemplazo directo ?
Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Empaquetado Cantidad disponible Precio unitario Cantidad mínima
IRFB3206PBF-ND IRFB3206PBF Infineon Technologies Tubo ? 1,176 - Inmediata
2.76000 1
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001565784

22:32:41 12/9/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.89000 2.89
10 2.59900 25.99
100 2.12940 212.94
500 1.81272 906.36
1,000 1.52880 1,528.80

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