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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB260NPBF-ND
Cantidad disponible 799
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB260NPBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 56A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 200V 56A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFB260NPbF
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
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Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 56 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 220 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4220 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 380 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 40 mOhm a 34 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFB260NPBF
SP001551726

00:22:42 3/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.81000 3.81
10 3.42400 34.24
100 2.80510 280.51
500 2.38792 1,193.96
1,000 2.01390 2,013.90

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