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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB260NPBF-ND
Cantidad disponible 874
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB260NPBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 56A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFB260NPbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 56 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 40 mOhm a 34 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 220 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 4220 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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  • Precio unitario 36.54000
  • IXLF19N250A-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFB260NPBF
SP001551726

09:28:57 12/11/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.63000 3.63
10 3.26100 32.61
100 2.67150 267.15
500 2.27420 1,137.10
1,000 1.91800 1,918.00

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