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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB23N20DPBF-ND
Cantidad disponible 1,094
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB23N20DPBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 200V 24A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFB23N20DPbF, IRFS(L)23N20DPbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 24 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1960 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.8 W (Ta), 170 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100 mOhm a 14 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFB23N20DPBF
SP001564048

09:36:28 2/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.81000 2.81
10 2.52300 25.23
100 2.02780 202.78
500 1.66600 833.00
1,000 1.38040 1,380.40

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