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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF9Z34NPBF-ND
Cantidad disponible 4,374
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF9Z34NPBF

Descripción MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
Descripción ampliada P-Channel 55V 19A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 55 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 19 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 620 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 68 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100 mOhm a 10 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF9Z34NPBF
SP001560182

17:10:00 3/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.31000 1.31
10 1.16800 11.68
100 0.91050 91.05
500 0.75212 376.06
1,000 0.59378 593.78

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