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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF630NPBF-ND
Cantidad disponible 1,521
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF630NPBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF630N
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ensamble/origen de PCN TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.3 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 300 mOhm a 5.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 35 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 575 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF630NPBF
SP001564792

23:50:23 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.25000 1.25
10 1.12100 11.21
100 0.87400 87.40
500 0.72200 361.00
1,000 0.57000 570.00

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