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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF6218PBF-ND
Cantidad disponible 2,330
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF6218PBF

Descripción MOSFET P-CH 150V 27A TO-220AB
Descripción ampliada P-Channel 150V 27A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF6218PbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 150 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 27 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2210 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 150 mOhm a 16 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF6218PBF
SP001564812

11:29:53 2/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.50000 2.50
10 2.25000 22.50
100 1.80840 180.84
500 1.48576 742.88
1,000 1.23105 1,231.05

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