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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF540NPBF-ND
Cantidad disponible 13,639
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF540NPBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 100V 33A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF540NPbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Recursos de diseño IRF540NPBF Saber Model
IRF540NPBF Spice Model
Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categories
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 33 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 71 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1960 pF a 25 V
Vgs (Max) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 130 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 44 mOhm a 16 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF540NPBF
64-0092PBF
64-0092PBF-ND
SP001561906

11:43:43 1/16/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.45000 1.45
10 1.29800 12.98
100 1.01200 101.20
500 0.83600 418.00
1,000 0.66000 660.00

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