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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF540NLPBF-ND
Cantidad disponible 3,518
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF540NLPBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF540N(S,L)PbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Diseño/especificación de PCN Copper Plating Update 31/Aug/2015
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 33 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 44 mOhm a 16 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 71 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1960 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF540NLPBF
SP001571292

05:03:15 12/11/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.55000 1.55
10 1.39400 13.94
100 1.12040 112.04
500 0.92050 460.25
1,000 0.76270 762.70

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