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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF5210PBF-ND
Cantidad disponible 2,930
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF5210PBF

Descripción MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 5 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF5210PbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Recursos de diseño IRF5210PBF Saber Model
IRF5210PBF Spice Model
Diseño/especificación de PCN LeadFrame BOM Chg 20/May/2016
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET Canal P, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60 mOhm a 24 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 180 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2700 pF a 25 V
Potencia máxima 200 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF5210PBF
SP001559642

14:11:00 12/6/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.44000 2.44
10 2.19400 21.94
100 1.76360 176.36
500 1.44900 724.50
1,000 1.20060 1,200.60

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