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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF3808PBF-ND
Cantidad disponible 1,398
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF3808PBF

Descripción MOSFET N-CH 75V 140A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF3808PbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Recursos de diseño IRF3808PBF Saber Model
IRF3808PBF Spice Model
Ensamble/origen de PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 75 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 140 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7 mOhm a 82 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 220 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 5310 pF a 25 V
Potencia máxima 330 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF3808PBF
SP001563250

19:48:21 12/4/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.76000 2.76
10 2.47500 24.75
100 2.02800 202.80
500 1.72640 863.20
1,000 1.45600 1,456.00

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