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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF3710PBF-ND
Cantidad disponible 2,636
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF3710PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF3710PbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Recursos de diseño IRF3710PBF Saber Model
IRF3710PBF Spice Model
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 57 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 23 mOhm a 28 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 130 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3130 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF3710PBF
SP001551058

22:43:22 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.01000 2.01
10 1.81000 18.10
100 1.45480 145.48
500 1.19526 597.63
1,000 0.99035 990.35

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