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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF3703PBF-ND
Cantidad disponible 3,169
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF3703PBF

Descripción MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 30V 210A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF3703PbF
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Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 210 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 209 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8250 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.8 W (Ta), 230 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.8 mOhm a 76 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF3703PBF
SP001574662

18:11:30 3/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.91000 3.91
10 3.50900 35.09
100 2.87470 287.47
500 2.44718 1,223.59
1,000 2.06388 2,063.88

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