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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF3703PBF-ND
Cantidad disponible 3,220
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF3703PBF

Descripción MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 30V 210A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF3703PbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categories
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 210 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 209 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 8250 pF a 25 V
Vgs (Max) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.8 W (Ta), 230 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.8 mOhm a 76 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF3703PBF
SP001574662

14:07:12 1/17/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.72000 3.72
10 3.34200 33.42
100 2.73780 273.78
500 2.33064 1,165.32
1,000 1.96560 1,965.60

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