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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF3315PBF-ND
Cantidad disponible 1,652
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF3315PBF

Descripción MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF3315PbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Recursos de diseño IRF3315 Saber Model
IRF3315 Spice Model
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 150 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 23 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 70 mOhm a 12 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 95 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1300 pF a 25 V
Potencia máxima 94 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF3315PBF
SP001553934

08:29:19 12/8/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.64000 1.64
10 1.47600 14.76
100 1.18640 118.64
500 0.97476 487.38
1,000 0.80765 807.65

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