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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF1607PBF-ND
Cantidad disponible 7,174
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF1607PBF

Descripción MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 75V 142A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF1607PbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
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Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 75 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 142 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 320 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7750 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 380 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.5 mOhm a 85 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF1607PBF
SP001553894

07:29:05 1/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.47000 3.47
10 3.11800 31.18
100 2.55450 255.45
500 2.17460 1,087.30
1,000 1.83400 1,834.00

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