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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF1324PBF-ND
Cantidad disponible 1,665
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF1324PBF

Descripción MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Descripción ampliada N-Channel 24V 195A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 24 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 195 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 240 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7590 pF a 24 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.5 mOhm a 195 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001561460

08:16:55 3/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.47000 3.47
10 3.11600 31.16
100 2.55320 255.32
500 2.17352 1,086.76
1,000 1.83309 1,833.09

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