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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF1104PBF-ND
Cantidad disponible 2,924
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF1104PBF

Descripción MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 40V 100A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 40 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 93 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2900 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 170 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9 mOhm a 60 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF1104PBF
SP001570050

18:23:36 3/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.89000 1.89
10 1.69700 16.97
100 1.36430 136.43
500 1.12088 560.44
1,000 0.92873 928.73

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