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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF1010NPBF-ND
Cantidad disponible 1,439
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF1010NPBF

Descripción MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF1010NPbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Recursos de diseño IRF1010NPBF Saber Model
IRF1010NPBF Spice Model
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 55 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 85 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11 mOhm a 43 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 120 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3210 pF a 25 V
Potencia máxima 180 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF1010NPBF
SP001563032

19:02:20 12/5/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.59000 1.59
10 1.43100 14.31
100 1.15020 115.02
500 0.94500 472.50
1,000 0.78300 783.00

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