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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF100B202-ND
Cantidad disponible 999
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF100B202

Descripción MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF100B202
Producto destacado Automatic Opening Systems
Ensamble/origen de PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®, StrongIRFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 97 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.6 mOhm a 58 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 150 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 116 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 4476 pF a 50 V
Potencia máxima 221 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001561488

16:47:22 12/3/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.52000 1.52
10 1.36300 13.63
100 1.06260 106.26
500 0.87780 438.90
1,000 0.69300 693.00

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