Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW65R280E6-ND
Cantidad disponible 480
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW65R280E6

Descripción MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx65R280E6
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13.8 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 280 mOhm a 4.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 440 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 45 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 950 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres IPW65R280E6FKSA1
SP000795272

15:44:50 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.90000 2.90
10 2.60400 26.04
100 2.13370 213.37
500 1.81638 908.19
1,000 1.53188 1,531.88

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario