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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW65R190CFD-ND
Cantidad disponible 3,147
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW65R190CFD

Descripción MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx65R190CFD
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17.5 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 7.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 730 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 68 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1850 pF a 100 V
Potencia máxima 151 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres IPW65R190CFDFKSA1
SP000905376

21:34:15 12/5/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.21000 3.21
10 2.87900 28.79
100 2.35850 235.85
500 2.00778 1,003.89
1,000 1.69330 1,693.30

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