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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW65R099C6FKSA1-ND
Cantidad disponible 117
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW65R099C6FKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx65R099C6
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 99 mOhm a 12.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 1.2 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 127 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2780 pF a 100 V
Potencia máxima 278 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres SP000896396

16:29:39 12/3/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.50000 6.50
10 5.86900 58.69
100 4.85900 485.90
500 4.23120 2,115.60
1,000 3.68523 3,685.23

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