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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW65R095C7XKSA1-ND
Cantidad disponible 169
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW65R095C7XKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPW65R095C7
Ensamble/origen de PCN Wafer Process Update 28/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 24 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 95 mOhm a 11.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 590 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 45 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2140 pF a 400 V
Potencia máxima 128 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres SP001080128

01:53:46 12/3/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.78000 6.78
10 6.12400 61.24
100 5.07020 507.02
500 4.41502 2,207.51
1,000 3.84534 3,845.34

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