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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW65R095C7XKSA1-ND
Cantidad disponible 154
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW65R095C7XKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Descripción ampliada N-Channel 650V 24A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPW65R095C7
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Wafer Process Update 28/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 24 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 590 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2140 pF a 400 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 128 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 95 mOhm a 11.8 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres SP001080128

03:33:32 1/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.78000 6.78
10 6.12400 61.24
100 5.07020 507.02
500 4.41502 2,207.51
1,000 3.84534 3,845.34

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