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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW65R070C6-ND
Cantidad disponible 742
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW65R070C6

Descripción MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPW65R070C6
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 53.5 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 70 mOhm a 17.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 1.76 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 170 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3900 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres IPW65R070C6FKSA1
SP000745034

11:08:50 12/9/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 9.84000 9.84
10 8.89300 88.93
100 7.36280 736.28
500 6.41142 3,205.71
1,000 5.58414 5,584.14

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