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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW65R070C6-ND
Cantidad disponible 742
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW65R070C6

Descripción MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247
Descripción ampliada N-Channel 650V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPW65R070C6
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 53.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 1.76 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 170 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3900 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 391 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 70 mOhm a 17.6 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres IPW65R070C6FKSA1
SP000745034

18:55:05 2/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 9.84000 9.84
10 8.89300 88.93
100 7.36280 736.28
500 6.41142 3,205.71
1,000 5.58414 5,584.14

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