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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW65R045C7FKSA1-ND
Cantidad disponible 3,378
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW65R045C7FKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-3
Descripción ampliada N-Channel 650V 46A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPW65R045C7
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Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Wafer Process Update 28/Sep/2016
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Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™ C7
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 46 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1.25 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 93 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4340 pF a 400 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 227 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 45 mOhm a 24.9 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres SP000929412

04:17:46 3/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 14.01000 14.01
10 12.87900 128.79
100 10.87740 1,087.74
500 9.67624 4,838.12

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