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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW65R041CFD-ND
Cantidad disponible 1,881
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW65R041CFD

Descripción MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPW65R041CFD
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 68.5 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 41 mOhm a 33.1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 3.3mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 300 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 8400pF a 100V
Potencia máxima 500 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres IPW65R041CFDFKSA1
SP000756288

15:05:54 12/6/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 12.06000 12.06
10 11.08300 110.83
100 9.36010 936.01
500 8.32648 4,163.24
1,000 7.63739 7,637.39

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