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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW65R037C6FKSA1-ND
Cantidad disponible 160
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW65R037C6FKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPW65R037C6
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™ C6
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 83.2 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 37 mOhm a 33.1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 3.3 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 330 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 7240 pF a 100 V
Potencia máxima 500 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
 
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  • Precio unitario 12.98000
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres SP000756284

19:12:06 12/8/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 14.05000 14.05
10 12.91000 129.10
100 10.90320 1,090.32
500 9.69920 4,849.60
1,000 8.89650 8,896.50

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